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武汉华星QY球友会官网光电申请半导体器件和电子器件专利提高半导体性能

发布日期:2025-01-07 14:19 浏览次数:

  金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信QY球友会体育,息显示,武汉华星光电技术有限公司申请一项名为“半导体器件和电子器件”的专利,公开号CN 118825081 A,申请日期为2024年6月。

  专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件和电子器件;该半导体器件通过在第二方向上,使沟道部的至少部分的宽度大于掺杂部的宽度,使得在栅极偏置状态下,沟道部边缘的电荷量较少甚至无电荷积累,使得沟道部的边缘无电场QY球友会官网,从而不会出现半导体器件的边缘区域相较于中间区域提前开启的问题,从而提高显示均一性,且增加沟道部的宽度可以增加有效沟道宽度,提高半QY球友会体育,导体器件的迁移率,提高半导体器件的性能QY球友会官网。

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