台积电申请半导体器件及其形成方法专利改善半导体器件的性能b体育sports手机版app官网下载

　　金融界 2024 年 7 月 17 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号 CN5.2，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，一种半导体器件，besport体育包括：第一电极；第一界面层，与第一电极接触；第一插入层，位于第一界面层上，第一插入层具有超过约 70％的第一面积比率的第一正交相（O 相）区域或第一单斜相（M 相）区域；第一介电层，位于第一插入层上，第一介电层具有超过第二 O 相区域和第二 M 相区域的面积比率的第二面积比率的四方相（T 相）区域；第二插入层，位于第一介电层上，第二插入层具有超过约 70％的第三面积比率的第三 O 相区域或第三 M 相区域；第二界面层，与第二插入层接触b体育sports手机版app官网下载，第二界面层为与第一界面层不同的材料；以及第二电极，besport体育位于第二界面层上。本申请的实施例还提供了形成半导体器件的方法b体育sports手机版app官网下载。

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